这三款Ultra C系列新产品的指标市场是先进集成电路领域，功率器件领域和先进晶圆级封装（WLP）领域。晶圆背面洗濯Ultra C b和槽式湿法洗濯Ultra C wb设备现已在中国先进半导体厂的量产中证了然它们的优势。公司首台刷洗设备Ultra C s也已在2020年第一季度交付中国客户，在验收合格后即可确认收入。
晶圆背面洗濯设备
Ultra C b
Ultra C b是一款高性价比的晶圆背面洗濯设备，拥有优良的颗粒管控能力和刻蚀均匀性节造能力，该设备三大关键利用别离为晶圆背面洗濯工艺，如金属去除或RCA洗濯；晶圆背面湿法硅刻蚀工艺，如晶圆背面湿法减薄或湿法硅通孔露出（TSV reveal）；以及晶圆回收工艺中的多晶硅层、氧化层和氮化层等膜层剥离去除。该设备可处置高翘曲度晶圆，合用于处置200毫米或300毫米超薄晶圆和键合晶圆。
自动槽式洗濯设备Ultra C wb，依附麻将胡了2研发的槽式与单片洗濯集成设备Ultra C Tahoe的先进槽式技术基础而开发，能够进行多达50片晶圆的批量洗濯。自动槽式洗濯设备的关键利用为炉管前洗濯，RCA洗濯，光阻去除，氧化层刻蚀，氮化硅去除，以及晶圆回收工艺中前段FEOL多晶硅/氧化硅层剥离去除，和后段BEOL金属层剥离去除。该设备可针对分歧的利用配置分歧的化学药液槽，如硫酸，磷酸，氢氟酸(HF)，缓冲氧化物刻蚀液(BOE)， SC1和SC2等化学药液槽。晶圆顺次在化学药液槽中浸泡，经去离子水(DI)冲刷，最后在ATOMO干燥？橹幸云囊毂(IPA)进行干燥，干燥后无水痕。该设备的？榛杓坪徒嫌椎恼嫉孛婊，使其可矫捷配置。槽式洗濯设备Ultra C wb可高效地回收使用化学药水，节能减排。该设备可使用于200毫米或者300毫米的晶圆洗濯利用。
刷洗设备
Ultra C s
新型刷洗设备Ultra C s以麻将胡了2在晶圆级封装领域（WLP）已验证成功的刷洗技术为基础，延长利用于集成电路造作领域。其建设的软刷能够选取精准的压力节造以洗濯晶圆边缘及背面的颗粒。该设备配有先进的二流体（气体和液体）喷淋洗濯技术，还可选配麻将胡了2自己研发的空间交变相位移（SAPS™）兆声波技术以满足客户更高的需要——更强劲的幼颗粒去除能力。？榛低晨膳渲8个腔体，用于集成电路造作领域300毫米的晶圆洗濯，其中四个腔体用于正面洗濯工艺，四个腔体用于背面洗濯工艺。该刷洗设备性价比高，矫捷性强、占地面积幼、产能高。
