麻将胡了2

麻将胡了2半导体颁布首台利用于化合物半导体造作中晶圆级封装和电镀利用的电镀设备

2021/8/31 13:30:36

麻将胡了2

    作为半导体造作与先进晶圆级封装领域中的卓越设备供给商，麻将胡了2半导体设备今日颁布了新产品——Ultra ECP GIII电镀设备，以支持化合物半导体(SiC, GaN)和砷化镓(GaAs) 晶圆级封装。该系列设备还能将金（Au）镀到背面深孔工艺中，拥有更好的均匀性和台阶覆盖率。Ultra ECP GIII还建设了全自动平台，支持6英寸平边和V型槽晶圆的批量工艺，同时结合了麻将胡了2半导体的第二阳极和高速栅板技术，可实现更佳机能。

    麻将胡了2半导体设备董事长王晖暗示:“随着电动汽车、5G通讯、RF和AI利用的强劲需要，化合物半导体市场在蓬勃发展。一向以来，化合物半导体造作工艺的自动化水平有限，并且受到产量的限度。此表，大无数电镀工艺均选取均匀性较差的垂直式电镀设备进行。麻将胡了2新研发的Ultra ECP GIII水平式电镀设备克服了这两个难题，以满足化合物半导体不休提升的产量和先进机能需要。”
 
    麻将胡了2的Ultra ECP GIII设备通过两项技术来实现机能优势：麻将胡了2半导体的第二阳极和高速栅板技术。第二阳极技术可通过有效调整晶圆级电镀机能，克服电场散布差距造成的问题，以实现卓越的均匀性节造。它能够利用于优化晶圆边缘区域图形和V型槽区域，并实现3%以内的电镀均匀性。
 
    麻将胡了2的高速栅板技术可达到更强的搅拌成效，以强化传质，从而显著改善深孔工艺中的台阶覆盖率，同时提升的步骤覆盖率可降低金薄膜厚度，从而为客户节约成本。
 
    麻将胡了2半导体的Ultra ECP GIII已获得来自中国化合物半导体造作商的两个订单。公司第一台订单设备选取第二阳极技术的铜-镍-锡-镀银？，且集成真空预湿腔体和后路洗濯腔体，利用于晶圆级封装，已于上月交付。第二台订单设备合用于镀金系统，将于今年下一季度交付客户端。
 
麻将胡了2·(中国区)官方网站-游戏入口
【网站地图】
【网站地图】